霍爾效應測試儀（HEM）

簡要描述：可用于一般半導體材料的霍爾系數(shù)、電阻率、電子遷移率、載流子濃度的常溫測量，是研究半導體和電子材料的電子特性的重要工具。

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一、產(chǎn)品應用

可用于一般半導體材料的霍爾系數(shù)、電阻率、電子遷移率、載流子濃度的常溫測量，是研究半導體和電子材料的電子特性的重要工具。

二、產(chǎn)品特點

1、高精度電流源，輸出精度可達0.1微安，可測量大部分半導體材料。

2、高精度電壓源，24位ADC采集，精度可達微伏級。

3、可靠的重復性，軟硬件設(shè)計多重濾波，使測量數(shù)據(jù)更穩(wěn)定，確保每個實驗數(shù)均為多次測試好的平均值。

4、簡約大氣的外觀設(shè)計，儀器連接操作簡單，完成樣品信息設(shè)置后，用戶可一鍵點擊測試，即可同時得到電阻率、載流子濃度、霍爾系數(shù)與方阻數(shù)據(jù)。

5、測試速度快，支持快速切換電流與磁場方向，通過范德堡法進行數(shù)據(jù)處理。

三、產(chǎn)品參數(shù)

霍爾參數(shù).png

四、軟件界面

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